高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110023188.1

申请日：

2021-01-08

公开(公告)号：

CN112875703A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

杨树斌杜志国

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

C01B3290

IPC分类号：

C01G5300 B82Y4000 C04B3556 C04B35622 C25B11075 C25B104 H01M462

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

李岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	公开	公开
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/90 申请日:20210108

共 50 条

[1]

中熵MAX相材料、中熵二维材料及其制备方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112811906A ,2021-05-18

[2]

中熵MAX相材料及中熵二维材料及其制备方法和用途 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN114751750A ,2022-07-15

[3]

高熵MXene材料、高熵MAX相材料及其制备方法、电极和电池 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN115745018B ,2024-02-06

[4]

含氮中熵或高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN114180970A ,2022-03-15

[5]

含氮中熵或高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN113149659A ,2021-07-23

[6]

一种高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

毕见强 ;

乔琳晶 ;

杨瑶 ;

车丞皎 ;

王弘毅 .

中国专利 :CN118145644A ,2024-06-07

[7]

一种片状高熵MAX相材料及其制备方法 [P].

公斌 ;

郝曲曲 ;

刘毅 ;

罗威 ;

王闯业 ;

郭守武 .

中国专利 :CN114890422A ,2022-08-12

[8]

一种高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

白致铭 ;

苗保记 ;

王帅乾 ;

郭洪波 ;

曲佳旻 ;

苏金宝 .

中国专利 :CN119100795A ,2024-12-10

[9]

一种高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

陈青云 ;

韩嘉鑫 ;

王金枝 ;

程勇 ;

刘陈成 ;

陈琦杰 ;

曾舒艺 .

中国专利 :CN118290153A ,2024-07-05

[10]

高熵负极材料制备方法及其应用 [P].

王强 ;

冉伟 ;

马寅华 ;

王昶沣 .

中国专利 :CN118073559A ,2024-05-24

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