中熵MAX相材料及中熵二维材料及其制备方法和用途

被引：0

申请号：

CN202210016499.X

申请日：

2022-01-07

公开(公告)号：

CN114751750A

公开(公告)日：

2022-07-15

发明(设计)人：

杨树斌杜志国

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B35622 C01B3290 B82Y4000

代理机构：

北京谱帆知识产权代理有限公司 11944

代理人：

张慧娟;王芊雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20220107
2022-07-15	公开	公开

共 50 条

[1]

中熵MAX相材料、中熵二维材料及其制备方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112811906A ,2021-05-18

[2]

高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112875703A ,2021-06-01

[3]

中熵MAX材料、中熵MXene材料及其合成方法和应用 [P].

党杰 ;

谭钞文 ;

马万森 ;

李金洲 ;

张润 ;

胡丽文 ;

吕学伟 .

中国专利 :CN117486214B ,2025-10-28

[4]

中熵MAX材料、中熵MXene材料及其合成方法和应用 [P].

党杰 ;

谭钞文 ;

马万森 ;

李金洲 ;

张润 ;

胡丽文 ;

吕学伟 .

中国专利 :CN117486214A ,2024-02-02

[5]

含氮中熵或高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN114180970A ,2022-03-15

[6]

含氮中熵或高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN113149659A ,2021-07-23

[7]

高熵MXene材料、高熵MAX相材料及其制备方法、电极和电池 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN115745018B ,2024-02-06

[8]

层状高熵MAX相陶瓷热电材料及其制备方法 [P].

刘超 ;

林元华 ;

南策文 ;

杨岳洋 .

中国专利 :CN111725380B ,2020-09-29

[9]

基于锆组分调控的中熵MAX相、衍生MXene材料及其制备方法 [P].

党杰 ;

谭钞文 ;

马万森 ;

张宇涵 ;

李金洲 ;

胡丽文 ;

吕学伟 .

中国专利 :CN121134771A ,2025-12-16

[10]

一种高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

毕见强 ;

乔琳晶 ;

杨瑶 ;

车丞皎 ;

王弘毅 .

中国专利 :CN118145644A ,2024-06-07

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