中熵MAX材料、中熵MXene材料及其合成方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311470628.3

申请日：

2023-11-07

公开(公告)号：

CN117486214B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

党杰谭钞文马万森李金洲张润胡丽文吕学伟

申请人：

重庆大学

申请人地址：

400000 重庆市沙坪坝区正街174号

IPC主分类号：

C01B32/90

IPC分类号：

代理机构：

重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所(普通合伙) 50236

代理人：

周维锋

法律状态：

公开

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	公开	公开
2024-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/90申请日:20231107
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

中熵MAX材料、中熵MXene材料及其合成方法和应用 [P].

党杰 ;

谭钞文 ;

马万森 ;

李金洲 ;

张润 ;

胡丽文 ;

吕学伟 .

中国专利 :CN117486214A ,2024-02-02

[2]

高熵MXene材料、高熵MAX相材料及其制备方法、电极和电池 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN115745018B ,2024-02-06

[3]

中熵MAX相材料、中熵二维材料及其制备方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112811906A ,2021-05-18

[4]

中熵MAX相材料及中熵二维材料及其制备方法和用途 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN114751750A ,2022-07-15

[5]

基于锆组分调控的中熵MAX相、衍生MXene材料及其制备方法 [P].

党杰 ;

谭钞文 ;

马万森 ;

张宇涵 ;

李金洲 ;

胡丽文 ;

吕学伟 .

中国专利 :CN121134771A ,2025-12-16

[6]

高熵二维材料、高熵MAX相材料及其制备方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112875703A ,2021-06-01

[7]

一种高熵MXene材料及其制备方法和应用 [P].

白致铭 ;

苗保记 ;

贺怀志 ;

郭洪波 ;

曲佳旻 ;

苏金宝 .

中国专利 :CN118581374A ,2024-09-03

[8]

一种高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

毕见强 ;

乔琳晶 ;

杨瑶 ;

车丞皎 ;

王弘毅 .

中国专利 :CN118145644A ,2024-06-07

[9]

一种高熵MAX相材料及其制备方法和应用 [P].

白致铭 ;

苗保记 ;

王帅乾 ;

郭洪波 ;

曲佳旻 ;

苏金宝 .

中国专利 :CN119100795A ,2024-12-10

[10]

中熵尖晶石修饰的LNMO电极材料及其制备方法和应用 [P].

刘颖 ;

李超鹏 ;

徐前 ;

汤皓茗 ;

喻成 .

中国专利 :CN120895647A ,2025-11-04

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