一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410364075.8

申请日：

2014-07-29

公开(公告)号：

CN104098335A

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

黄政仁梁汉琴刘学建姚秀敏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B35565

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588366451 IPC(主分类):C04B 35/565 专利申请号:2014103640758 申请日:20140729
2014-10-15	公开	公开
2016-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

夏云 .

中国专利 :CN104671793A ,2015-06-03

[2]

高电阻率碳化硅 [P].

A·G·黑尔 ;

E·A·佩里 .

中国专利 :CN105000888B ,2015-10-28

[3]

高电阻率碳化硅 [P].

A·G·黑尔 ;

E·A·佩里 .

中国专利 :CN101896442B ,2010-11-24

[4]

一种低电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

陈健 ;

黄政仁 ;

刘学建 ;

陈忠明 ;

姚秀敏 ;

袁明 ;

刘岩 ;

闫永杰 ;

朱云洲 ;

刘桂玲 ;

张辉 .

中国专利 :CN104478438A ,2015-04-01

[5]

一种高韧性、高电阻率碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

杨新领 .

中国专利 :CN108203300B ,2018-06-26

[6]

一种高电阻率连续碳化硅纤维及其制备方法 [P].

董伯举 ;

杜亮 ;

马小民 ;

陆仁 ;

张春苏 ;

张冀 .

中国专利 :CN105568427A ,2016-05-11

[7]

一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件 [P].

李靖晗 ;

张慧 ;

王力 ;

李华民 ;

包根平 .

中国专利 :CN116854477B ,2024-05-24

[8]

一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料 [P].

刘赋灵 ;

余盛杰 ;

廖家豪 .

中国专利 :CN120738623B ,2025-12-12

[9]

一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料 [P].

刘赋灵 ;

余盛杰 ;

廖家豪 .

中国专利 :CN120738623A ,2025-10-03

[10]

一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法 [P].

崔海珍 ;

吴涛 .

中国专利 :CN118064871B ,2025-05-09

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