一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510042655.X
申请日
2015-01-28
公开(公告)号
CN104671793A
公开(公告)日
2015-06-03
发明(设计)人
夏云
申请人
申请人地址
233010 安徽省蚌埠市高新区长青南路1259号
IPC主分类号
C04B35565
IPC分类号
C04B3563
代理机构
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112
代理人
余成俊
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
黄政仁 ;
梁汉琴 ;
刘学建 ;
姚秀敏 .
中国专利 :CN104098335A ,2014-10-15
[2]
高电阻率碳化硅 [P]. 
A·G·黑尔 ;
E·A·佩里 .
中国专利 :CN105000888B ,2015-10-28
[3]
高电阻率碳化硅 [P]. 
A·G·黑尔 ;
E·A·佩里 .
中国专利 :CN101896442B ,2010-11-24
[4]
一种低电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
陈健 ;
黄政仁 ;
刘学建 ;
陈忠明 ;
姚秀敏 ;
袁明 ;
刘岩 ;
闫永杰 ;
朱云洲 ;
刘桂玲 ;
张辉 .
中国专利 :CN104478438A ,2015-04-01
[5]
一种高韧性、高电阻率碳化硅陶瓷的制备方法 [P]. 
杨新领 .
中国专利 :CN108203300B ,2018-06-26
[6]
一种高电阻率连续碳化硅纤维及其制备方法 [P]. 
董伯举 ;
杜亮 ;
马小民 ;
陆仁 ;
张春苏 ;
张冀 .
中国专利 :CN105568427A ,2016-05-11
[7]
一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件 [P]. 
李靖晗 ;
张慧 ;
王力 ;
李华民 ;
包根平 .
中国专利 :CN116854477B ,2024-05-24
[8]
一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料 [P]. 
刘赋灵 ;
余盛杰 ;
廖家豪 .
中国专利 :CN120738623B ,2025-12-12
[9]
一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料 [P]. 
刘赋灵 ;
余盛杰 ;
廖家豪 .
中国专利 :CN120738623A ,2025-10-03
[10]
一种喷嘴用碳化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
张波 .
中国专利 :CN104829254A ,2015-08-12