相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210554553.6

申请日：

2022-05-20

公开(公告)号：

CN114824073A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

杨红心周凌珺刘峻

申请人：

申请人地址：

430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

高洁;张颖玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20220520

共 50 条

[1]

相变存储器及其制造方法 [P].

杨海波 ;

刘峻 ;

付志成 ;

刘广宇 .

中国专利 :CN113644087A ,2021-11-12

[2]

相变存储器及其制造方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113629099A ,2021-11-09

[3]

相变存储器及其制造方法 [P].

姜闰浩 ;

赵郁廉 ;

徐东硕 .

中国专利 :CN1812118A ,2006-08-02

[4]

相变存储器及其制造方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113629099B ,2024-04-16

[5]

相变存储器及其制造方法 [P].

周光乐 ;

杨海波 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114068616A ,2022-02-18

[6]

相变存储器及其制造方法 [P].

C·H·丹尼森 .

中国专利 :CN1506973A ,2004-06-23

[7]

相变存储器及其制造方法 [P].

雅典波罗 ;

鞠韶复 ;

刘峻 ;

杨红心 ;

杨艳娟 .

中国专利 :CN113871529A ,2021-12-31

[8]

相变存储器及其制造方法 [P].

李四华 .

中国专利 :CN111969107A ,2020-11-20

[9]

相变存储器及其制造方法 [P].

李莹 ;

吴关平 ;

任佳栋 .

中国专利 :CN103296050A ,2013-09-11

[10]

相变存储器及其制造方法 [P].

洪中山 ;

何其旸 .

中国专利 :CN101958337A ,2011-01-26

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