相变存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111386891.5

申请日：

2021-11-22

公开(公告)号：

CN114068616A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

周光乐杨海波刘峻

申请人：

申请人地址：

430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

H01L4500

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

田婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20211122
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

相变存储器及其制造方法 [P].

杨海波 ;

刘峻 ;

付志成 ;

刘广宇 .

中国专利 :CN113644087A ,2021-11-12

[2]

相变存储器及其制造方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113629099A ,2021-11-09

[3]

相变存储器及其制造方法 [P].

姜闰浩 ;

赵郁廉 ;

徐东硕 .

中国专利 :CN1812118A ,2006-08-02

[4]

相变存储器及其制造方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113629099B ,2024-04-16

[5]

相变存储器及其制造方法 [P].

C·H·丹尼森 .

中国专利 :CN1506973A ,2004-06-23

[6]

相变存储器及其制造方法 [P].

雅典波罗 ;

鞠韶复 ;

刘峻 ;

杨红心 ;

杨艳娟 .

中国专利 :CN113871529A ,2021-12-31

[7]

相变存储器及其制造方法 [P].

李四华 .

中国专利 :CN111969107A ,2020-11-20

[8]

相变存储器及其制造方法 [P].

李莹 ;

吴关平 ;

任佳栋 .

中国专利 :CN103296050A ,2013-09-11

[9]

相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法 [P].

杨红心 ;

周凌珺 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114824073A ,2022-07-29

[10]

相变存储器装置及其制造方法 [P].

陈维恕 ;

陈颐承 ;

许宏辉 ;

李乾铭 ;

赵得胜 ;

陈志伟 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN101355137A ,2009-01-28

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