一种镧基高介电常数薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010556701.5

申请日：

2010-11-24

公开(公告)号：

CN102094190A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

陈琳孙清清王鹏飞张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

C23C1652

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096108582 IPC(主分类):C23C 16/52 专利申请号:2010105567015 申请日:20101124
2011-06-15	公开	公开
2012-11-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101460545327 IPC(主分类):C23C 16/52 专利申请号:2010105567015 申请公布日:20110615

共 50 条

[1]

一种高介电常数薄膜的制备方法 [P].

周燕红 .

中国专利 :CN107794516A ,2018-03-13

[2]

一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法 [P].

何志巍 ;

刘雪芹 ;

王印月 .

中国专利 :CN100372077C ,2005-06-29

[3]

沉积高介电常数薄膜的设备 [P].

B·M·龙塞 ;

C·R·梅茨纳 ;

R·O·柯林斯 .

中国专利 :CN100523296C ,2005-11-09

[4]

基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法 [P].

刘红侠 ;

范小娇 ;

费晨曦 ;

卓青青 ;

汪星 ;

尹淑颖 .

中国专利 :CN103367409A ,2013-10-23

[5]

一种高介电常数PTFE复合薄膜制备方法 [P].

牛文静 .

中国专利 :CN113174076A ,2021-07-27

[6]

一种电容器用高介电常数薄膜的制备方法 [P].

刘宝灵 .

中国专利 :CN106158375A ,2016-11-23

[7]

一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 [P].

李科 ;

彭明云 ;

黄丙亮 ;

程杰 ;

左文燕 ;

胡磊 .

中国专利 :CN114381040A ,2022-04-22

[8]

一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法 [P].

黄延伟 ;

曾和平 .

中国专利 :CN109721353A ,2019-05-07

[9]

一种带有高介电常数薄膜的绝缘子及其制备方法 [P].

张逸凡 ;

傅明利 ;

王邸博 ;

侯帅 ;

卓然 ;

惠宝军 ;

罗颜 ;

景一 ;

黄之明 .

中国专利 :CN108717888A ,2018-10-30

[10]

一种用于高介电常数栅介质的外延薄膜及其制备方法 [P].

杜军 ;

魏峰 ;

屠海令 ;

王毅 ;

岳守晶 .

中国专利 :CN101752410A ,2010-06-23

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