一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910196716.6

申请日：

2019-03-15

公开(公告)号：

CN109721353A

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

黄延伟曾和平

申请人：

申请人地址：

200237 上海市闵行区虹梅南路1755号一幢一层A18-065室

IPC主分类号：

C04B35465

IPC分类号：

C04B35622 C04B35624 C04B3564

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-07	公开	公开
2022-07-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/465 申请公布日:20190507
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/465 申请日:20190315

共 50 条

[1]

一种提升SrTiO3基巨介电常数电介质材料介电常数的方法 [P].

李玲霞 ;

王文波 ;

张宁 ;

卢特 .

中国专利 :CN108275995A ,2018-07-13

[2]

一种巨介电常数电介质材料的制备方法 [P].

李玲霞 ;

张凯 ;

王文波 ;

王梦龙 .

中国专利 :CN110372377A ,2019-10-25

[3]

一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料及其制备方法 [P].

成鹏飞 ;

党子妍 ;

王丹 .

中国专利 :CN115321976A ,2022-11-11

[4]

一种巨介电常数钛酸钡基介电材料及其制备方法 [P].

卢国锋 .

中国专利 :CN113754426A ,2021-12-07

[5]

一种高效合成巨介电常数材料的方法 [P].

黄延伟 ;

曾和平 .

中国专利 :CN109748580A ,2019-05-14

[6]

一种镧基高介电常数薄膜的制备方法 [P].

陈琳 ;

孙清清 ;

王鹏飞 ;

张卫 .

中国专利 :CN102094190A ,2011-06-15

[7]

一种巨介电常数钛酸钡陶瓷的制备方法 [P].

张金咏 ;

徐崇君 ;

雷丽文 ;

张东明 ;

傅正义 .

中国专利 :CN103214237A ,2013-07-24

[8]

一种制备SrTiO3基巨介电常数介质陶瓷材料的方法 [P].

李玲霞 ;

许振鹏 ;

张宁 ;

卢特 ;

王文波 .

中国专利 :CN108191428A ,2018-06-22

[9]

一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法 [P].

何志巍 ;

刘雪芹 ;

王印月 .

中国专利 :CN100372077C ,2005-06-29

[10]

多孔低介电常数薄膜材料及其制备方法 [P].

叶超 ;

廖良生 ;

袁大星 ;

王响英 .

中国专利 :CN103526179B ,2014-01-22

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