一种非晶纳米晶磁片制备工艺及制备设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911351012.8

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN110993310B

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

朱权赵俊顾小建

申请人：

申请人地址：

322118 浙江省金华市东阳市横店镇工业区

IPC主分类号：

H01F4102

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

胡彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-10	公开	公开
2021-03-09	授权	授权
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 41/02 申请日:20191224

共 50 条

[1]

一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备 [P].

赵俊 ;

朱权 ;

顾小建 .

中国专利 :CN111009372A ,2020-04-14

[2]

一种非晶纳米晶磁性材料制备工艺 [P].

郑晓沛 ;

胡志国 ;

朱小琴 ;

何成 .

中国专利 :CN115323250A ,2022-11-11

[3]

一种非晶纳米晶磁性材料及其制备工艺 [P].

王昀 ;

李专 ;

文瑾 ;

王谢鑫 .

中国专利 :CN120432258A ,2025-08-05

[4]

一种非晶纳米晶复合镀层电极的制备工艺 [P].

李凝 ;

陈卫增 ;

贺新升 ;

王晓明 ;

王琳琳 ;

高春甫 ;

徐洪 ;

徐灯 .

中国专利 :CN104975313A ,2015-10-14

[5]

一种非晶纳米晶定子铁芯的制备方法及非晶纳米晶电机 [P].

赵宇 ;

昌赛 ;

刘辉东 ;

戴鑫 ;

方俊杰 ;

闫军 .

中国专利 :CN117791982A ,2024-03-29

[6]

一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法 [P].

顾正青 ;

韩朝庆 ;

计建荣 .

中国专利 :CN108666115A ,2018-10-16

[7]

非晶纳米晶薄片及其制备方法 [P].

蹇林旎 ;

崔宇岑 ;

赵青宇 ;

王烽亮 .

中国专利 :CN119905340A ,2025-04-29

[8]

一种非晶纳米晶合金薄带及其制备方法 [P].

吴雪 ;

马光 ;

杨富尧 ;

程灵 ;

高洁 ;

韩钰 ;

陈新 ;

祝志祥 ;

聂京凯 .

中国专利 :CN104805382B ,2015-07-29

[9]

一种非晶纳米晶磁片热处理装置 [P].

徐厚嘉 ;

钟列平 ;

张鑫 ;

王书光 .

中国专利 :CN217479520U ,2022-09-23

[10]

非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片 [P].

刘阳阳 ;

付亚奇 .

中国专利 :CN110257735B ,2019-09-20

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