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非晶纳米晶薄片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510169172.X
申请日：
2025-02-17
公开(公告)号：
CN119905340A
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
蹇林旎 崔宇岑 赵青宇 王烽亮
申请人：
江阴市晶磁电子有限公司
申请人地址：
214400 江苏省无锡市江阴市青阳镇振阳路19号-3
IPC主分类号：
H01F41/02
IPC分类号：
H01F1/153
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
刘雄
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01F 41/02申请日:20250217
2025-04-29 公开 公开
共 50 条
[1]
一种非晶纳米晶带材及其制备方法 [P]. 
贾义勇 ;
江沐风 ;
黄涛 ;
焦会妨 ;
王世辉 ;
朱一伟 .
中国专利 :CN121046750A ,2025-12-02
[2]
非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法 [P]. 
王策 ;
陈卫红 ;
宗伟 ;
胡丽红 .
中国专利 :CN114147212A ,2022-03-08
[3]
非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法 [P]. 
王策 ;
陈卫红 ;
宗伟 ;
胡丽红 .
中国专利 :CN114147212B ,2024-06-18
[4]
一种非晶纳米晶合金薄带及其制备方法 [P]. 
吴雪 ;
马光 ;
杨富尧 ;
程灵 ;
高洁 ;
韩钰 ;
陈新 ;
祝志祥 ;
聂京凯 .
中国专利 :CN104805382B ,2015-07-29
[5]
一种非晶纳米晶定子铁芯的制备方法及非晶纳米晶电机 [P]. 
赵宇 ;
昌赛 ;
刘辉东 ;
戴鑫 ;
方俊杰 ;
闫军 .
中国专利 :CN117791982A ,2024-03-29
[6]
非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P]. 
王策 ;
陈卫红 ;
宗伟 ;
胡丽红 .
中国专利 :CN114147219B ,2024-06-14
[7]
非晶纳米晶软磁合金及其制备方法 [P]. 
李翔 ;
孙皓 ;
潘登 .
中国专利 :CN103060723A ,2013-04-24
[8]
非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P]. 
王策 ;
陈卫红 ;
宗伟 ;
胡丽红 .
中国专利 :CN114147219A ,2022-03-08
[9]
非晶纳米晶块体磁元件的制备方法 [P]. 
严彪 ;
陈伯渠 ;
杨沙 .
中国专利 :CN101030468A ,2007-09-05
[10]
非晶纳米晶母合金及其制备方法 [P]. 
王策 ;
陈卫红 ;
宗伟 ;
胡丽红 .
中国专利 :CN114150235A ,2022-03-08
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