碳化硅－氧化物层叠体及其制造方法以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410083545.X

申请日：

2004-10-09

公开(公告)号：

CN1606140A

公开(公告)日：

2005-04-13

发明(设计)人：

山下贤哉北畠真楠本修高桥邦方内田正雄宫永良子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	授权	授权
2005-04-13	公开	公开
2006-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

河田泰之 .

中国专利 :CN115706151A ,2023-02-17

[2]

碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 [P].

宫崎正行 .

中国专利 :CN106536793A ,2017-03-22

[3]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

川畑直之 ;

永久雄一 ;

田中贵规 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN115004342A ,2022-09-02

[4]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵仁 .

日本专利 :CN113228236B ,2024-08-09

[5]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 ;

小岛贵仁 .

中国专利 :CN113228236A ,2021-08-06

[6]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

川畑直之 ;

永久雄一 ;

田中贵规 ;

岩松俊明 .

日本专利 :CN115004342B ,2025-08-08

[7]

碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

胁本节子 .

中国专利 :CN106663631B ,2017-05-10

[8]

碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

酒井善行 .

日本专利 :CN118398660A ,2024-07-26

[9]

碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

田中梨菜 ;

香川泰宏 ;

三浦成久 ;

阿部雄次 ;

福井裕 ;

富永贵亮 .

中国专利 :CN105593997A ,2016-05-18

[10]

碳化硅半导体装置及其制造方法 [P].

谷冈寿一 ;

樽井阳一郎 ;

古桥壮之 .

中国专利 :CN107078158A ,2017-08-18

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