半导体晶片、半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610084418.0

申请日：

2006-05-18

公开(公告)号：

CN1866529A

公开(公告)日：

2006-11-22

发明(设计)人：

大黑达也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2500 H01L25065 H01L2184

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-22	公开	公开
2009-12-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

隈川隆博 ;

内海胜喜 ;

松岛芳宏 ;

松浦正美 .

中国专利 :CN1819159A ,2006-08-16

[2]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[3]

半导体晶片、半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

田中浩治 ;

矶崎诚也 .

中国专利 :CN101546736A ,2009-09-30

[4]

半导体晶片、半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

榎原淳 .

中国专利 :CN101030573A ,2007-09-05

[5]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[6]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[7]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN103000589A ,2013-03-27

[8]

半导体晶片以及半导体器件的制造方法 [P].

永野元 ;

齐藤芳彦 .

中国专利 :CN1905208A ,2007-01-31

[9]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[10]

处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 [P].

菲利普·雷诺 ;

罗兰德·塞拉诺 .

中国专利 :CN103109350A ,2013-05-15

← 1 2 3 4 5 →