一种磷酸二氘钾晶体的抛光装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110294147.6

申请日：

2021-03-19

公开(公告)号：

CN113118952A

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

万文

申请人：

申请人地址：

238000 安徽省巢湖市居巢区黄麓镇临湖居委会

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

B24B4106 B24B4102 B24B4100 B24B100

代理机构：

北京保识知识产权代理事务所(普通合伙) 11874

代理人：

尹莹莹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	公开	公开
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 29/02 申请日:20210319

共 50 条

[1]

一种磷酸二氘钾晶体抛光装置 [P].

万文 .

中国专利 :CN215092815U ,2021-12-10

[2]

一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法 [P].

李光烈 ;

刘学勇 .

中国专利 :CN104589194A ,2015-05-06

[3]

一种加工磷酸二氘钾晶体的反应装置 [P].

万文 .

中国专利 :CN215232224U ,2021-12-21

[4]

磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法 [P].

张飞虎 ;

郭少龙 ;

张勇 .

中国专利 :CN101310922A ,2008-11-26

[5]

磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺 [P].

段爱东 .

中国专利 :CN1329563C ,2006-06-28

[6]

一种测量磷酸二氘钾单晶氘化率的方法 [P].

李国辉 ;

苏根博 ;

庄欣欣 ;

李征东 ;

贺友平 .

中国专利 :CN1727869A ,2006-02-01

[7]

生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽 [P].

官月英 ;

颜明山 ;

张秀珠 ;

曾金波 ;

林一德 .

中国专利 :CN2150215Y ,1993-12-22

[8]

一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置 [P].

潘建国 ;

刘晓利 ;

李月宝 ;

杨书颖 ;

张公军 ;

崔玉杰 ;

陈素珍 .

中国专利 :CN101684569B ,2010-03-31

[9]

一种氟化铽钾晶体抛光装置 [P].

罗毅 ;

龚瑞 .

中国专利 :CN118952011A ,2024-11-15

[10]

一种晶体热抛光装置 [P].

马孙明 ;

郭玉勇 ;

王晓梅 ;

彭方 .

中国专利 :CN208132684U ,2018-11-23

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