一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510043754.X

申请日：

2015-01-28

公开(公告)号：

CN104589194A

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

李光烈刘学勇

申请人：

申请人地址：

252300 山东省聊城市阳谷县祥光经济开发区南北一路

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

B24B722 B24B4912 B24D1800 B08B304

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

吕利敏

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-05	授权	授权
2015-05-06	公开	公开
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611554292 IPC(主分类):B24B 29/02 专利申请号:201510043754X 申请日:20150128

共 50 条

[1]

一种磷酸二氘钾晶体抛光装置 [P].

万文 .

中国专利 :CN215092815U ,2021-12-10

[2]

一种磷酸二氘钾晶体的抛光装置及方法 [P].

万文 .

中国专利 :CN113118952A ,2021-07-16

[3]

一种加工磷酸二氘钾晶体的反应装置 [P].

万文 .

中国专利 :CN215232224U ,2021-12-21

[4]

磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法 [P].

张飞虎 ;

郭少龙 ;

张勇 .

中国专利 :CN101310922A ,2008-11-26

[5]

大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法 [P].

赵世杰 ;

张明壮 ;

田亮 ;

金波佳 ;

谢瑞清 ;

廖德锋 ;

王健 ;

张剑锋 ;

樊非 .

中国专利 :CN118769032A ,2024-10-15

[6]

磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺 [P].

段爱东 .

中国专利 :CN1329563C ,2006-06-28

[7]

一种测量磷酸二氘钾单晶氘化率的方法 [P].

李国辉 ;

苏根博 ;

庄欣欣 ;

李征东 ;

贺友平 .

中国专利 :CN1727869A ,2006-02-01

[8]

生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽 [P].

官月英 ;

颜明山 ;

张秀珠 ;

曾金波 ;

林一德 .

中国专利 :CN2150215Y ,1993-12-22

[9]

磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

牛新环 ;

刘钠 .

中国专利 :CN102010668B ,2011-04-13

[10]

一种磷酸二氢钾的精制方法 [P].

冯新光 ;

杨效东 ;

王华 ;

方为军 ;

贲波 ;

李春利 ;

李娟 .

中国专利 :CN119954113A ,2025-05-09

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