原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110387776.3

申请日：

2021-04-12

公开(公告)号：

CN113223968A

公开(公告)日：

2021-08-06

发明(设计)人：

陈荣盛尹雪梅钟伟李国元邓孙斌郭海成

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

H01L2924 H01L29786

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

黎扬鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	公开	公开
2022-12-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/363 申请公布日:20210806
2021-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/363 申请日:20210412

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜晶体管 [P].

叶佳俊 ;

王裕霖 ;

蔡学宏 ;

王旨玄 .

中国专利 :CN103035734A ,2013-04-10

[2]

基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管 [P].

叶志 ;

刘旸 .

中国专利 :CN104112779A ,2014-10-22

[3]

氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

张民杰 .

中国专利 :CN103915507A ,2014-07-09

[4]

氧化物薄膜的制备方法及其薄膜晶体管 [P].

兰林锋 ;

高沛雄 ;

王磊 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN105551955A ,2016-05-04

[5]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

尹贵永 ;

郑浩旋 .

中国专利 :CN114038759B ,2022-02-11

[6]

顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

董承远 ;

施俊斐 .

中国专利 :CN102157564A ,2011-08-17

[7]

金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构 [P].

王质武 .

中国专利 :CN106971944A ,2017-07-21

[8]

金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法 [P].

张新安 ;

张伟风 ;

李爽 ;

杨光 ;

刘献省 .

中国专利 :CN106252278A ,2016-12-21

[9]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

谢应涛 .

中国专利 :CN105762195B ,2016-07-13

[10]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

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