氧化物薄膜晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111169051.3

申请日：

2021-09-30

公开(公告)号：

CN114038759B

公开(公告)日：

2022-02-11

发明(设计)人：

尹贵永郑浩旋

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层，6栋七层

IPC主分类号：

H01L21477

IPC分类号：

H01L2134

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

晏波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-11	公开	公开
2022-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/477 申请日:20210930
2022-09-27	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

谢应涛 .

中国专利 :CN106298956A ,2017-01-04

[2]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

姚琪 ;

张锋 ;

曹占锋 ;

何晓龙 ;

张斌 ;

李正亮 .

中国专利 :CN105140131A ,2015-12-09

[3]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[4]

氧化物薄膜晶体管基板 [P].

尹弼相 ;

李永旭 ;

李禹根 .

中国专利 :CN102194831B ,2011-09-21

[5]

氧化物薄膜晶体管 [P].

赵坤 ;

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

李菲菲 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113972285A ,2022-01-25

[6]

氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构 [P].

胡宇彤 ;

曾志远 ;

苏智昱 ;

李文辉 ;

吕晓文 ;

石龙强 ;

张合静 .

中国专利 :CN104037090A ,2014-09-10

[7]

氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

张民杰 .

中国专利 :CN103915507A ,2014-07-09

[8]

氧化物薄膜晶体管的制造方法 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN103050412B ,2013-04-17

[9]

制造氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

朴相武 ;

金峰澈 ;

河灿起 ;

权真佑 ;

李炯兆 .

中国专利 :CN103855030A ,2014-06-11

[10]

氧化物薄膜晶体管的制造方法 [P].

金大元 ;

裵钟旭 .

中国专利 :CN101908489A ,2010-12-08

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