半导体结构的制备方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110417403.6
申请日
2021-04-19
公开(公告)号
CN113161484A
公开(公告)日
2021-07-23
发明(设计)人
王景皓 辛欣
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L4902
IPC分类号
H01L27108
代理机构
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
孙佳胤
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及半导体结构的制备方法 [P]. 
刘小平 ;
徐丹 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN119384218A ,2025-01-28
[2]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
杨成成 .
中国专利 :CN113851579A ,2021-12-28
[3]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
杨成成 .
中国专利 :CN113851579B ,2025-02-25
[4]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
杨成成 ;
夏文斌 ;
张宏 ;
王能语 ;
李德涛 .
中国专利 :CN113838883A ,2021-12-24
[5]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
吴锋 .
中国专利 :CN113078116A ,2021-07-06
[6]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
吴锋 .
中国专利 :CN113078116B ,2024-01-23
[7]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
林超 .
中国专利 :CN119173030A ,2024-12-20
[8]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN114823653A ,2022-07-29
[9]
半导体结构制备方法及半导体结构 [P]. 
徐正弘 .
中国专利 :CN117832162A ,2024-04-05
[10]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
林超 .
中国专利 :CN119173030B ,2025-09-26