硅碳复合材料及其制备方法、负极片和锂二次电池

被引：0

申请号：

CN202211206855.0

申请日：

2022-09-30

公开(公告)号：

CN115513432A

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

王胜彬王世贤杨琪俞会根

申请人：

申请人地址：

102402 北京市房山区窦店镇启航西街1号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M462 H01M100525 H01M413

代理机构：

北京唐颂永信知识产权代理有限公司 11755

代理人：

刘伟;郎雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20220930
2022-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

硅碳复合材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115084491A ,2022-09-20

[2]

硅碳复合材料及其制备方法、负极片和锂离子二次电池 [P].

陈云 ;

刘鹏 ;

褚春波 ;

张耀 .

中国专利 :CN112736232A ,2021-04-30

[3]

硅碳复合材料及其制备方法、负极极片、二次电池 [P].

廖寄乔 ;

廖雨舟 ;

易旭 .

中国专利 :CN120854536A ,2025-10-28

[4]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

叶林 ;

蓝利芳 ;

刘鹤 ;

杨超 ;

刘伟星 ;

刘艳丽 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114044516B ,2024-01-16

[5]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

叶林 ;

蓝利芳 ;

刘鹤 ;

杨超 ;

刘伟星 ;

刘艳丽 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114044516A ,2022-02-15

[6]

硅碳复合材料及其制备方法、负极极片、二次电池和装置 [P].

陈文强 ;

王家政 ;

吕子建 .

中国专利 :CN119833581A ,2025-04-15

[7]

负极复合材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

周宪聪 ;

吴玉祥 ;

温靖彦 ;

阙志豪 .

中国专利 :CN118198333A ,2024-06-14

[8]

负极复合材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

周宪聪 ;

吴玉祥 ;

温靖彦 ;

阙志豪 .

中国专利 :CN118198333B ,2025-11-07

[9]

硅碳复合材料及其制备方法、负极极片、二次电池和用电装置 [P].

吴凯 ;

陈宁 ;

史东洋 ;

邓亚茜 ;

刘智 ;

吕瑞景 ;

程志鹏 .

中国专利 :CN117174882B ,2025-02-14

[10]

硅碳复合材料及其制备方法、负极极片、二次电池和用电装置 [P].

叶永煌 ;

云亮 ;

孙信 ;

林逵 ;

吴李力 ;

董苗苗 .

中国专利 :CN119768935A ,2025-04-04

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