低温烧结制备纳米负膨胀陶瓷LiAlSiO4的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610309597.7

申请日：

2016-05-11

公开(公告)号：

CN105859272B

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

郝好山赵利敏程永光王娇刘少辉

申请人：

申请人地址：

451191 河南省郑州市新郑龙湖中山北路1号

IPC主分类号：

C04B3519

IPC分类号：

C04B35624 C04B3564

代理机构：

郑州优盾知识产权代理有限公司 41125

代理人：

张绍琳;张真真

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/19 登记生效日:20211214 变更事项:专利权人变更前权利人:河南工程学院变更后权利人:河南凯翔实业有限公司变更事项:地址变更前权利人:451191 河南省郑州市新郑龙湖中山北路1号变更后权利人:452385 河南省郑州市新密市超化镇河西村二组
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678615822 IPC(主分类):C04B 35/19 专利申请号:2016103095977 申请日:20160511
2016-08-17	公开	公开
2019-03-12	授权	授权

共 50 条

[21]

负氧低温烧结的微孔吸油/水陶瓷及其制备方法和应用 [P].

陈美坤 .

中国专利 :CN110105054A ,2019-08-09

[22]

一种低温烧结污泥陶瓷的方法 [P].

张小立 ;

范文捷 ;

樊平 ;

汤峰 ;

李慧 ;

刘芳 ;

王坤 ;

陈宁宁 .

中国专利 :CN108191232A ,2018-06-22

[23]

氧气烧结制备YAG陶瓷荧光片的方法 [P].

王腾飞 ;

赵伊卓 ;

秦煜宸 ;

董飞 ;

王士理 .

中国专利 :CN114195503A ,2022-03-18

[24]

一种低温烧结制备压电陶瓷的方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN119306495B ,2025-03-07

[25]

一种具有惰性SiO2保护层的负膨胀颗粒的制备方法及其应用 [P].

司晓庆 ;

王晓阳 ;

周启涵 ;

高建伟 ;

曹健 ;

李淳 ;

亓钧雷 ;

冯吉才 .

中国专利 :CN114905186A ,2022-08-16

[26]

一种低温烧结制备压电陶瓷的方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN119306495A ,2025-01-14

[27]

一种纳米涂层陶瓷研磨材料的制备方法 [P].

马骋 ;

赵帅印 .

中国专利 :CN112851311A ,2021-05-28

[28]

一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

周东祥 ;

胡云香 ;

傅邱云 ;

龚树萍 ;

郑志平 ;

刘欢 ;

张毓敏 .

中国专利 :CN101811869A ,2010-08-25

[29]

一种泡沫注凝成形‑低温烧结制备铁尾矿多孔陶瓷的方法 [P].

周洋 ;

李润丰 ;

孙智勇 ;

魏述燕 ;

李翠伟 ;

李世波 ;

黄振莺 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN106830989A ,2017-06-13

[30]

一种低温烧结抗污染陶瓷膜的制备方法 [P].

马军 ;

张瑛洁 ;

李江岑 ;

杨智伟 .

中国专利 :CN116835996B ,2024-03-26

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