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晶圆背面减薄工艺方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710847318.7
申请日
:
2017-09-19
公开(公告)号
:
CN107706102A
公开(公告)日
:
2018-02-16
发明(设计)人
:
孔蔚然
杨继业
邢军军
潘嘉
黄璇
张须坤
陈冲
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21304
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-03-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20170919
2018-02-16
公开
公开
2020-06-09
授权
授权
共 50 条
[1]
晶圆背面减薄工艺
[P].
黄河
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黄河
;
陈建华
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陈建华
;
高大为
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高大为
;
毛剑宏
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毛剑宏
.
中国专利
:CN101327572B
,2008-12-24
[2]
晶圆背面减薄工艺方法
[P].
蒋志伟
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蒋志伟
;
吴长明
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吴长明
;
冯大贵
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冯大贵
;
王玉新
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王玉新
;
祝建
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祝建
;
张宇
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张宇
.
中国专利
:CN112635300B
,2021-04-09
[3]
晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置
[P].
苏亚青
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苏亚青
;
张守龙
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张守龙
;
季芝慧
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季芝慧
;
谭秀文
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谭秀文
;
叶斐
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叶斐
;
陈裕
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陈裕
.
中国专利
:CN112349579A
,2021-02-09
[4]
基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法
[P].
叶武阳
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
叶武阳
;
姜舫
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长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
姜舫
;
陶继闯
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
陶继闯
;
单世威
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
单世威
.
中国专利
:CN119069497A
,2024-12-03
[5]
基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法
[P].
叶武阳
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
叶武阳
;
姜舫
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
姜舫
;
陶继闯
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
陶继闯
;
单世威
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
单世威
.
中国专利
:CN119069497B
,2025-03-11
[6]
一种晶圆背面减薄工艺
[P].
张宇
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张宇
.
中国专利
:CN105097487A
,2015-11-25
[7]
一种WLCSP晶圆背面减薄工艺
[P].
江博渊
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江博渊
;
肖启明
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肖启明
.
中国专利
:CN104752189A
,2015-07-01
[8]
晶圆减薄工艺方法
[P].
陈晋
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陈晋
;
徐友峰
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徐友峰
;
马强
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马强
;
倪加其
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倪加其
;
李虎
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李虎
.
中国专利
:CN111403273B
,2020-07-10
[9]
晶圆减薄工艺
[P].
王勇威
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王勇威
;
周立庆
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周立庆
;
夏楠君
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夏楠君
;
黄鑫亮
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黄鑫亮
;
亢喆
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亢喆
.
中国专利
:CN109742017B
,2019-05-10
[10]
新型晶圆减薄背面金属化工艺
[P].
黄平
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黄平
;
鲍利华
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鲍利华
.
中国专利
:CN107369611A
,2017-11-21
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