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晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011145090.5
申请日
:
2020-10-23
公开(公告)号
:
CN112349579A
公开(公告)日
:
2021-02-09
发明(设计)人
:
苏亚青
张守龙
季芝慧
谭秀文
叶斐
陈裕
申请人
:
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L2167
B24B722
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
戴广志
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201023
2021-02-09
公开
公开
共 50 条
[1]
晶圆背面减薄工艺
[P].
黄河
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黄河
;
陈建华
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陈建华
;
高大为
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高大为
;
毛剑宏
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毛剑宏
.
中国专利
:CN101327572B
,2008-12-24
[2]
晶圆背面减薄方法
[P].
黄河
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黄河
;
高大为
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高大为
;
蒲贤勇
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蒲贤勇
;
毛剑宏
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毛剑宏
.
中国专利
:CN101399195A
,2009-04-01
[3]
晶圆背面减薄工艺方法
[P].
蒋志伟
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蒋志伟
;
吴长明
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吴长明
;
冯大贵
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冯大贵
;
王玉新
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王玉新
;
祝建
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祝建
;
张宇
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张宇
.
中国专利
:CN112635300B
,2021-04-09
[4]
晶圆背面减薄工艺方法
[P].
孔蔚然
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孔蔚然
;
杨继业
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杨继业
;
邢军军
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邢军军
;
潘嘉
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潘嘉
;
黄璇
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黄璇
;
张须坤
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张须坤
;
陈冲
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陈冲
.
中国专利
:CN107706102A
,2018-02-16
[5]
晶圆湿法减薄方法
[P].
孙运龙
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
孙运龙
;
陈裕
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈裕
;
谭秀文
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
谭秀文
.
中国专利
:CN114121638B
,2025-06-06
[6]
晶圆湿法减薄方法
[P].
孙运龙
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孙运龙
;
陈裕
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陈裕
;
谭秀文
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谭秀文
.
中国专利
:CN114121638A
,2022-03-01
[7]
晶圆背面减薄的工艺方法
[P].
何勇
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
何勇
;
解海江
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
解海江
;
曹棚棚
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
曹棚棚
.
中国专利
:CN118983214A
,2024-11-19
[8]
晶圆定位装置及晶圆减薄机
[P].
翟慧敏
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翟慧敏
;
裴少帅
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裴少帅
;
苏亚青
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苏亚青
;
吕剑
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吕剑
.
中国专利
:CN112635383A
,2021-04-09
[9]
基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法
[P].
叶武阳
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
叶武阳
;
姜舫
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
姜舫
;
陶继闯
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长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
陶继闯
;
单世威
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
单世威
.
中国专利
:CN119069497A
,2024-12-03
[10]
基于BSI工艺的晶圆背面减薄方法
[P].
叶武阳
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
叶武阳
;
姜舫
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
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姜舫
;
陶继闯
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
陶继闯
;
单世威
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机构:
长春长光圆辰微电子技术有限公司
长春长光圆辰微电子技术有限公司
单世威
.
中国专利
:CN119069497B
,2025-03-11
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