一种压电衬底、制备方法及电子元器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011562159.4

申请日：

2020-12-25

公开(公告)号：

CN112787618A

公开(公告)日：

2021-05-11

发明(设计)人：

李真宇杨超李洋洋张秀全张涛韩智勇

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

IPC主分类号：

H03H9145

IPC分类号：

H03H925

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

逯长明;许伟群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	公开	公开
2021-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 9/145 申请日:20201225

共 50 条

[1]

一种压电衬底、制备方法及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

李洋洋 ;

张秀全 ;

张涛 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112688658B ,2021-04-20

[2]

一种多层衬底、电子元器件及多层衬底制备方法 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

李洋洋 ;

张秀全 ;

刘阿龙 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112750686B ,2021-05-04

[3]

一种电子元器件及电子元器件制备方法 [P].

温国训 .

中国专利 :CN117524620A ,2024-02-06

[4]

复合衬底及其制备方法、电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

张秀全 ;

李洋洋 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112564662B ,2021-03-26

[5]

一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件 [P].

杨超 ;

李真宇 ;

胡卉 ;

胡文 ;

孔霞 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN114496733B ,2022-05-13

[6]

电子元器件及电子元器件的制备方法 [P].

刘丽 ;

王刚宁 ;

冯喆韻 ;

贺吉伟 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN104882470B ,2015-09-02

[7]

一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

孔霞 ;

刘亚明 ;

韩智勇 ;

陈明珠 ;

郑珊珊 ;

姜传晓 .

中国专利 :CN114284135B ,2025-07-25

[8]

一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

孔霞 ;

刘亚明 ;

韩智勇 ;

陈明珠 ;

郑珊珊 ;

姜传晓 .

中国专利 :CN114284135A ,2022-04-05

[9]

半导体衬底、制备方法以及电子元器件 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112435984B ,2021-03-02

[10]

复合衬底的制备方法、复合薄膜及电子元器件 [P].

杨超 ;

李真宇 ;

张秀全 ;

李洋洋 .

中国专利 :CN112420915B ,2021-02-26

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