一种在硅表面可控生长微纳孔结构的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010044845.2
申请日
2010-01-15
公开(公告)号
CN101759143A
公开(公告)日
2010-06-30
发明(设计)人
孙志军 林琦
申请人
申请人地址
361005 福建省厦门市思明南路422号
IPC主分类号
B82B300
IPC分类号
B81C100
代理机构
厦门南强之路专利事务所 35200
代理人
马应森
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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[3]
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[4]
一种新的硅基微纳结构的修饰方法 [P]. 
郑德印 ;
王玮 .
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[5]
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袁志山 ;
王成勇 ;
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[8]
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[9]
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[10]
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王富国 ;
张俊彦 .
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