一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811394245.1

申请日：

2018-11-21

公开(公告)号：

CN109437095B

公开(公告)日：

2019-03-08

发明(设计)人：

袁志山冷夕杜王成勇

申请人：

申请人地址：

510006 广东省广州市番禺区大学城外环西路100号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B81B100

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

林丽明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-09	授权	授权
2019-03-08	公开	公开
2019-10-25	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):B81C 1/00 变更事项:发明人变更前:袁志山冷夕杜王成勇凌新生变更后:袁志山冷夕杜王成勇
2019-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20181121

共 50 条

[1]

一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构及其制备方法 [P].

冷夕杜 ;

袁志山 ;

王成勇 ;

凌新生 .

中国专利 :CN109809360A ,2019-05-28

[2]

一种刻蚀方向可变的硅纳米孔结构及其制备方法 [P].

袁志山 ;

冷夕杜 ;

王成勇 .

中国专利 :CN110921612A ,2020-03-27

[3]

一种硅纳米孔结构及其制作方法 [P].

袁志山 ;

王成勇 .

中国专利 :CN107416762A ,2017-12-01

[4]

一种可控金属纳米颗粒的制作方法 [P].

李铁 ;

袁志山 ;

王辉 .

中国专利 :CN104889410B ,2015-09-09

[5]

一种分布面积可控的硅纳米孔结构及其制备方法和应用 [P].

吴丹丹 ;

袁志山 ;

王成勇 ;

凌新生 .

中国专利 :CN109830430A ,2019-05-31

[6]

一种新型固态纳米孔结构及其制作方法 [P].

袁志山 ;

谢志鹏 ;

王成勇 .

中国专利 :CN109633154B ,2019-04-16

[7]

金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法 [P].

马文会 ;

李绍元 ;

周阳 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

伍继君 ;

秦博 ;

刘大春 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN103342337A ,2013-10-09

[8]

一种硅基纳米孔的制作方法 [P].

司卫华 ;

刘泽文 .

中国专利 :CN101798059B ,2010-08-11

[9]

一种制备一维硅纳米结构的方法 [P].

许宁生 ;

佘峻聪 ;

何浩 ;

姚日晖 ;

邓少芝 ;

陈军 .

中国专利 :CN101117208A ,2008-02-06

[10]

一种在硅表面可控生长微纳孔结构的方法 [P].

孙志军 ;

林琦 .

中国专利 :CN101759143A ,2010-06-30

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