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形成嵌入式存储器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210518071.1
申请日
:
2012-12-05
公开(公告)号
:
CN103579123A
公开(公告)日
:
2014-02-12
发明(设计)人
:
丁裕伟
黄国钦
白志阳
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L218247
IPC分类号
:
H01L21336
H01L2128
H01L29788
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;孙征
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-06-09
授权
授权
2014-03-12
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578339549 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2012105180711 申请日:20121205
2014-02-12
公开
公开
共 50 条
[1]
优化嵌入式存储器件栅极形成的方法
[P].
吴熙烁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
吴熙烁
;
吴志涛
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
吴志涛
.
中国专利
:CN120769549A
,2025-10-10
[2]
嵌入式存储器及其形成方法
[P].
吴伟成
论文数:
0
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0
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0
吴伟成
;
庄学理
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0
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0
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0
庄学理
.
中国专利
:CN104241291A
,2014-12-24
[3]
嵌入式存储器件及其制作方法
[P].
侯泰成
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
侯泰成
;
林大钧
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0
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0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
林大钧
;
蔡馥郁
论文数:
0
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0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
蔡馥郁
;
蔡滨祥
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0
引用数:
0
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0
机构:
联华电子股份有限公司
联华电子股份有限公司
蔡滨祥
.
中国专利
:CN120417394A
,2025-08-01
[4]
嵌入式存储器
[P].
武泽翰
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0
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0
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0
武泽翰
;
曹永赞
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0
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0
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曹永赞
.
中国专利
:CN110690223B
,2020-01-14
[5]
嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法
[P].
陈春
论文数:
0
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0
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
陈春
;
J·朴
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0
机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
J·朴
;
金恩顺
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0
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0
机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
金恩顺
;
姜仁国
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0
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0
机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
姜仁国
;
姜成泽
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
姜成泽
;
张国栋
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
张国栋
.
美国专利
:CN110785845B
,2024-01-05
[6]
嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法
[P].
陈春
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陈春
;
J·朴
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J·朴
;
金恩顺
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金恩顺
;
姜仁国
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0
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姜仁国
;
姜成泽
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姜成泽
;
张国栋
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0
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0
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0
张国栋
.
中国专利
:CN110785845A
,2020-02-11
[7]
存储器件及其形成方法
[P].
梁启超
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梁启超
;
田志
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田志
;
黄冠群
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0
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0
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0
黄冠群
.
中国专利
:CN112133635A
,2020-12-25
[8]
具有嵌入式存储器件的打印头
[P].
约翰·G·艾德林
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0
引用数:
0
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0
约翰·G·艾德林
;
乔治·K·帕里什
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0
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0
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乔治·K·帕里什
;
克里斯蒂·M·罗为
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0
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0
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0
克里斯蒂·M·罗为
.
中国专利
:CN1890101A
,2007-01-03
[9]
嵌入式HKMG非易失性存储器
[P].
吴伟成
论文数:
0
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0
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0
吴伟成
;
陈姿妤
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0
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0
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0
陈姿妤
.
中国专利
:CN106935591A
,2017-07-07
[10]
存储器件的形成方法
[P].
黄云龙
论文数:
0
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黄云龙
;
熊伟
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0
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0
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熊伟
;
张剑
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张剑
;
陈华伦
论文数:
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0
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0
陈华伦
.
中国专利
:CN112670290B
,2021-04-16
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