优化嵌入式存储器件栅极形成的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510809020.1

申请日：

2025-06-17

公开(公告)号：

CN120769549A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

吴熙烁吴志涛

申请人：

华虹半导体制造（无锡）有限公司

申请人地址：

214111 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10B41/30 H10B41/40

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

陈钧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250617

共 50 条

[1]

形成嵌入式存储器件的方法 [P].

丁裕伟 ;

黄国钦 ;

白志阳 .

中国专利 :CN103579123A ,2014-02-12

[2]

嵌入式存储器的栅极制程及其栅极结构 [P].

陈世明 ;

杨晓莹 .

中国专利 :CN1290159C ,2004-12-08

[3]

嵌入式存储器及其形成方法 [P].

吴伟成 ;

庄学理 .

中国专利 :CN104241291A ,2014-12-24

[4]

一种嵌入式存储器件侧墙的制备方法 [P].

刘良 ;

柳会雄 .

中国专利 :CN104835790B ,2015-08-12

[5]

形成非易失性存储器件的栅极的方法 [P].

宋锡杓 ;

辛东善 ;

皮升浩 ;

朴基善 ;

黄善焕 ;

李美梨 ;

朴吉在 .

中国专利 :CN101465291A ,2009-06-24

[6]

非易失性存储器件的形成方法 [P].

曹恒 ;

金龙灿 ;

杨海玩 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN104900594A ,2015-09-09

[7]

嵌入式存储器及其制造方法 [P].

顾文炳 .

中国专利 :CN120076336A ,2025-05-30

[8]

嵌入式存储器及其制造方法 [P].

顾文炳 .

中国专利 :CN120076337A ,2025-05-30

[9]

嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法 [P].

陈春 ;

J·朴 ;

金恩顺 ;

姜仁国 ;

姜成泽 ;

张国栋 .

美国专利 :CN110785845B ,2024-01-05

[10]

嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法 [P].

陈春 ;

J·朴 ;

金恩顺 ;

姜仁国 ;

姜成泽 ;

张国栋 .

中国专利 :CN110785845A ,2020-02-11

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