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一种嵌入式存储器件侧墙的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201410045908.4
申请日
:
2014-02-08
公开(公告)号
:
CN104835790B
公开(公告)日
:
2015-08-12
发明(设计)人
:
刘良
柳会雄
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L2711517
IPC分类号
:
H01L21311
代理机构
:
上海光华专利事务所 31219
代理人
:
李仪萍
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-09-09
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624661084 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014100459084 申请日:20140208
2017-10-31
授权
授权
2015-08-12
公开
公开
共 50 条
[1]
优化嵌入式存储器件栅极形成的方法
[P].
吴熙烁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
吴熙烁
;
吴志涛
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0
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0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
吴志涛
.
中国专利
:CN120769549A
,2025-10-10
[2]
形成嵌入式存储器件的方法
[P].
丁裕伟
论文数:
0
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0
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丁裕伟
;
黄国钦
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0
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黄国钦
;
白志阳
论文数:
0
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0
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0
白志阳
.
中国专利
:CN103579123A
,2014-02-12
[3]
用于嵌入式SONOS存储器集成工艺的侧墙结构及制造方法
[P].
严舒瑶
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严舒瑶
;
熊伟
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熊伟
;
张可刚
论文数:
0
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0
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张可刚
;
陈华伦
论文数:
0
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0
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0
陈华伦
.
中国专利
:CN105529333A
,2016-04-27
[4]
一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法
[P].
孔蔚然
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0
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孔蔚然
;
董耀旗
论文数:
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董耀旗
;
李容林
论文数:
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李容林
;
李栋
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李栋
;
李寒冰
论文数:
0
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0
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李寒冰
.
中国专利
:CN101183666A
,2008-05-21
[5]
一种用于嵌入式SONOS存储器的侧墙的制造方法
[P].
周平生
论文数:
0
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0
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
周平生
;
张可钢
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张可钢
;
毛新宇
论文数:
0
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
毛新宇
.
中国专利
:CN119943661A
,2025-05-06
[6]
嵌入式存储器及其制造方法
[P].
顾文炳
论文数:
0
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机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
顾文炳
.
中国专利
:CN120076336A
,2025-05-30
[7]
嵌入式存储器及其制造方法
[P].
顾文炳
论文数:
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0
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0
机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
顾文炳
.
中国专利
:CN120076337A
,2025-05-30
[8]
嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法
[P].
陈春
论文数:
0
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0
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
陈春
;
J·朴
论文数:
0
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
J·朴
;
金恩顺
论文数:
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
金恩顺
;
姜仁国
论文数:
0
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
姜仁国
;
姜成泽
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
姜成泽
;
张国栋
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0
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机构:
英飞凌科技有限责任公司
英飞凌科技有限责任公司
张国栋
.
美国专利
:CN110785845B
,2024-01-05
[9]
嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法
[P].
陈春
论文数:
0
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陈春
;
J·朴
论文数:
0
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J·朴
;
金恩顺
论文数:
0
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金恩顺
;
姜仁国
论文数:
0
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姜仁国
;
姜成泽
论文数:
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姜成泽
;
张国栋
论文数:
0
引用数:
0
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张国栋
.
中国专利
:CN110785845A
,2020-02-11
[10]
具有嵌入式存储器件的打印头
[P].
约翰·G·艾德林
论文数:
0
引用数:
0
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约翰·G·艾德林
;
乔治·K·帕里什
论文数:
0
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乔治·K·帕里什
;
克里斯蒂·M·罗为
论文数:
0
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克里斯蒂·M·罗为
.
中国专利
:CN1890101A
,2007-01-03
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