一种嵌入式存储器件侧墙的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410045908.4
申请日
2014-02-08
公开(公告)号
CN104835790B
公开(公告)日
2015-08-12
发明(设计)人
刘良 柳会雄
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2711517
IPC分类号
H01L21311
代理机构
上海光华专利事务所 31219
代理人
李仪萍
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
优化嵌入式存储器件栅极形成的方法 [P]. 
吴熙烁 ;
吴志涛 .
中国专利 :CN120769549A ,2025-10-10
[2]
形成嵌入式存储器件的方法 [P]. 
丁裕伟 ;
黄国钦 ;
白志阳 .
中国专利 :CN103579123A ,2014-02-12
[3]
用于嵌入式SONOS存储器集成工艺的侧墙结构及制造方法 [P]. 
严舒瑶 ;
熊伟 ;
张可刚 ;
陈华伦 .
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[4]
一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法 [P]. 
孔蔚然 ;
董耀旗 ;
李容林 ;
李栋 ;
李寒冰 .
中国专利 :CN101183666A ,2008-05-21
[5]
一种用于嵌入式SONOS存储器的侧墙的制造方法 [P]. 
周平生 ;
张可钢 ;
毛新宇 .
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[6]
嵌入式存储器及其制造方法 [P]. 
顾文炳 .
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[7]
嵌入式存储器及其制造方法 [P]. 
顾文炳 .
中国专利 :CN120076337A ,2025-05-30
[8]
嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法 [P]. 
陈春 ;
J·朴 ;
金恩顺 ;
姜仁国 ;
姜成泽 ;
张国栋 .
美国专利 :CN110785845B ,2024-01-05
[9]
嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法 [P]. 
陈春 ;
J·朴 ;
金恩顺 ;
姜仁国 ;
姜成泽 ;
张国栋 .
中国专利 :CN110785845A ,2020-02-11
[10]
具有嵌入式存储器件的打印头 [P]. 
约翰·G·艾德林 ;
乔治·K·帕里什 ;
克里斯蒂·M·罗为 .
中国专利 :CN1890101A ,2007-01-03