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一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200710172267.9
申请日：
2007-12-13
公开(公告)号：
CN101183666A
公开(公告)日：
2008-05-21
发明(设计)人：
孔蔚然
董耀旗
李容林
李栋
李寒冰
申请人：
申请人地址：
201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
IPC主分类号：
H01L218247
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所
代理人：
屈蘅
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2011-07-20 | 授权 | 授权 |
| 2008-05-21 | 公开 | 公开 |
| 2014-05-21 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701002687 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2007101722679 变更事项:专利权人 变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司 变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 登记生效日:20140424 |
| 2010-05-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001719188 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2007101722679 申请日:20071213 |