一种半导体器件自加热效应的测试装置

被引：0

申请号：

CN202221785319.6

申请日：

2022-07-08

公开(公告)号：

CN218331827U

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

曾传滨倪涛王娟娟李逸帆高林春钱频张煦刘建章蔡小五赵发展罗家俊韩郑生

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

马苗苗

法律状态：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统 [P].

李逸帆 ;

倪涛 ;

王娟娟 ;

高林春 ;

曾传滨 ;

钱频 ;

王玉娟 ;

卜建辉 ;

赵发展 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN115184761B ,2025-01-03

[2]

一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统 [P].

李逸帆 ;

倪涛 ;

王娟娟 ;

曾传滨 ;

高林春 ;

李晓静 ;

孙佳星 ;

刘海南 ;

赵发展 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN115236475B ,2025-12-16

[3]

半导体器件的测试装置 [P].

陈伟 ;

徐勇 ;

叶建国 ;

韩宙 ;

程华胜 ;

魏春阳 .

中国专利 :CN205786998U ,2016-12-07

[4]

半导体器件测试装置 [P].

杨浩 .

中国专利 :CN214795085U ,2021-11-19

[5]

半导体器件测试装置 [P].

吴胜 ;

王锋 ;

徐祁华 .

中国专利 :CN217766707U ,2022-11-08

[6]

一种半导体器件的测试装置 [P].

张霖芝 ;

田帅 .

中国专利 :CN221351661U ,2024-07-16

[7]

一种半导体器件的测试装置 [P].

昝佳琳 .

中国专利 :CN210862782U ,2020-06-26

[8]

一种半导体器件测试装置 [P].

李鹏旭 ;

张清 .

中国专利 :CN211706838U ,2020-10-20

[9]

一种半导体器件测试装置 [P].

林俊 .

中国专利 :CN212646889U ,2021-03-02

[10]

一种半导体器件测试装置 [P].

李鹏旭 .

中国专利 :CN214845608U ,2021-11-23

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