半导体器件的测试装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620641084.1

申请日：

2016-06-24

公开(公告)号：

CN205786998U

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

陈伟徐勇叶建国韩宙程华胜魏春阳

申请人：

申请人地址：

214432 江苏省无锡市江阴市澄江街道皮弄村新石路51号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;刘海

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件测试装置 [P].

杨浩 .

中国专利 :CN214795085U ,2021-11-19

[2]

半导体器件测试装置 [P].

吴胜 ;

王锋 ;

徐祁华 .

中国专利 :CN217766707U ,2022-11-08

[3]

用于半导体器件的测试装置 [P].

丘炜光 ;

陈新军 ;

谢景祺 ;

柏铭 .

中国专利 :CN223597818U ,2025-11-25

[4]

半导体器件性能测试装置 [P].

刘宝成 .

中国专利 :CN202159118U ,2012-03-07

[5]

半导体器件测试装置及半导体器件 [P].

伍俊炜 ;

李博强 ;

肖鹏 ;

陈大雄 .

中国专利 :CN222482367U ,2025-02-14

[6]

半导体器件的测试装置 [P].

朱月林 .

中国专利 :CN106054050B ,2016-10-26

[7]

半导体器件测试装置 [P].

刘福红 ;

罗佳 ;

王叙夫 .

中国专利 :CN305979990S ,2020-08-11

[8]

半导体器件测试装置 [P].

渡边丰 ;

中村浩人 ;

矢部利男 ;

千叶道郎 .

中国专利 :CN1115721C ,1997-12-31

[9]

半导体器件测试装置 [P].

小泽广太郎 .

中国专利 :CN100345269C ,2005-10-12

[10]

半导体器件测试装置 [P].

崔炳奎 ;

武藤骏一 .

韩国专利 :CN118715444A ,2024-09-27

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