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半导体器件测试装置
被引：0
专利类型：
外观设计
申请号：
CN202030130028.3
申请日：
2020-04-07
公开(公告)号：
CN305979990S
公开(公告)日：
2020-08-11
发明(设计)人：
刘福红
罗佳
王叙夫
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋101
IPC主分类号：
1005
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-08-11 | 授权 | 授权 |