薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180004127.5

申请日：

2011-06-02

公开(公告)号：

CN103003928A

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

尾田智彦川岛孝启

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2120 H01L29786

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

徐健;段承恩

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101709901315 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011800041275 申请公布日:20130327
2013-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

形成结晶硅薄膜的方法 [P].

林烱暐 ;

蔡耀昌 ;

陈易良 ;

江美昭 ;

邹元昕 .

中国专利 :CN102103989A ,2011-06-22

[2]

结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法 [P].

冈史人 ;

松村信一 ;

皆川康 .

中国专利 :CN1407603A ,2003-04-02

[3]

制造结晶硅半导体和薄膜晶体管的方法 [P].

山崎舜平 ;

坂间光范 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1131342A ,1996-09-18

[4]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[5]

结晶硅半导体器件及其制造方法 [P].

村松信一 ;

皆川康 ;

冈史人 ;

高桥进 ;

矢泽义昭 .

中国专利 :CN1218363C ,2001-09-05

[6]

形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法 [P].

大江贵裕 ;

君岛美树 .

中国专利 :CN101903993B ,2010-12-01

[7]

薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103314444B ,2013-09-18

[8]

成膜设备和形成结晶硅薄膜的方法 [P].

桐村浩哉 ;

绪方洁 .

中国专利 :CN1168118C ,1999-11-17

[9]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

[10]

制造结晶半导体薄膜的方法 [P].

李炳洙 .

中国专利 :CN101720496A ,2010-06-02

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