碳化硅半导体装置以及电力变换装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880079668.6

申请日：

2018-12-18

公开(公告)号：

CN111480239A

公开(公告)日：

2020-07-31

发明(设计)人：

日野史郎永久雄一贞松康史八田英之川原洸太朗

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2912 H01L29872

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

肖靖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181218
2020-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

永久雄一 ;

日野史郎 ;

八田英之 ;

贞松康史 .

中国专利 :CN111466031A ,2020-07-28

[2]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

八田英之 ;

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

福井裕 .

日本专利 :CN113557607B ,2024-02-13

[3]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

八田英之 ;

田中梨菜 ;

菅原胜俊 ;

福井裕 .

中国专利 :CN113557607A ,2021-10-26

[4]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

永久雄一 ;

日野史郎 ;

贞松康史 ;

八田英之 ;

川原洸太朗 .

日本专利 :CN115274855B ,2025-10-28

[5]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

八田英之 ;

日野史郎 ;

贞松康史 ;

永久雄一 .

中国专利 :CN110352497B ,2019-10-18

[6]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

八田英之 ;

日野史郎 ;

贞松康史 ;

永久雄一 .

中国专利 :CN115101596A ,2022-09-23

[7]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

日野史郎 ;

永久雄一 ;

贞松康史 ;

八田英之 ;

川原洸太朗 .

中国专利 :CN111466032A ,2020-07-28

[8]

碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P].

永久雄一 ;

日野史郎 ;

贞松康史 ;

八田英之 ;

川原洸太朗 .

中国专利 :CN110337725B ,2019-10-15

[9]

碳化硅半导体装置以及使用碳化硅半导体装置的电力变换装置 [P].

川原洸太朗 ;

永久雄一 .

日本专利 :CN117642873A ,2024-03-01

[10]

碳化硅半导体装置以及使用碳化硅半导体装置的电力变换装置 [P].

日野史郎 ;

川原洸太朗 .

日本专利 :CN117461143A ,2024-01-26

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