碳化硅半导体装置以及使用碳化硅半导体装置的电力变换装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202180100068.5
申请日
2021-07-07
公开(公告)号
CN117642873A
公开(公告)日
2024-03-01
发明(设计)人
川原洸太朗 永久雄一
申请人
三菱电机株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L29/12
代理机构
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
刘蓉
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
碳化硅半导体装置以及使用碳化硅半导体装置的电力变换装置 [P]. 
日野史郎 ;
川原洸太朗 .
日本专利 :CN117461143A ,2024-01-26
[2]
碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
田中梨菜 ;
福井裕 ;
八田英之 ;
足立亘平 .
中国专利 :CN114730802A ,2022-07-08
[3]
碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
田中梨菜 ;
福井裕 ;
八田英之 ;
足立亘平 .
日本专利 :CN114730802B ,2025-06-10
[4]
碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
海老池勇史 ;
香川泰宏 .
中国专利 :CN110473903A ,2019-11-19
[5]
碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P]. 
八田英之 ;
田中梨菜 ;
菅原胜俊 ;
福井裕 .
日本专利 :CN113557607B ,2024-02-13
[6]
碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P]. 
永久雄一 ;
日野史郎 ;
八田英之 ;
贞松康史 .
中国专利 :CN111466031A ,2020-07-28
[7]
碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P]. 
田中贵规 ;
永久雄一 ;
川畑直之 ;
纲城启之 .
日本专利 :CN115668510B ,2025-06-24
[8]
碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P]. 
八田英之 ;
田中梨菜 ;
菅原胜俊 ;
福井裕 .
中国专利 :CN113557607A ,2021-10-26
[9]
碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P]. 
田中贵规 ;
永久雄一 ;
川畑直之 ;
纲城启之 .
中国专利 :CN115668510A ,2023-01-31
[10]
碳化硅半导体装置以及电力变换装置 [P]. 
日野史郎 ;
永久雄一 ;
贞松康史 ;
八田英之 ;
川原洸太朗 .
中国专利 :CN111480239A ,2020-07-31