用于MEMS器件的CMOS封盖

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110236891.0

申请日：

2021-03-03

公开(公告)号：

CN113086938A

公开(公告)日：

2021-07-09

发明(设计)人：

洪婉嘉彼得·科普尼奇伊凯·安德·奥贾克保罗·西蒙·庞廷

申请人：

申请人地址：

新加坡创业道2号愿景交流大厦11-08号

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81B702 B81C100

代理机构：

深圳市德锦知识产权代理有限公司 44352

代理人：

陈永晔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20210303
2021-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

用于MEMS器件的电旁路结构 [P].

洪嘉明 ;

王鸿森 ;

陈相甫 ;

李德玺 ;

亚历山大·卡尔尼茨基 ;

戴文川 ;

张贵松 ;

蔡易恒 .

中国专利 :CN102701136A ,2012-10-03

[2]

具有面外MEMS感应间隙的CMOS-MEMS结构 [P].

马修·朱利安·汤普逊 .

中国专利 :CN109153560A ,2019-01-04

[3]

利用多个较小的MEMS器件替换较大的MEMS器件的方法 [P].

查尔斯·戈登·史密斯 ;

理查德·L·奈普 ;

维克拉姆·乔希 ;

罗伯托·加迪 ;

阿纳特兹·乌纳穆诺 ;

罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭 .

中国专利 :CN102256893A ,2011-11-23

[4]

衬底结构、CMOS器件和制造CMOS器件的方法 [P].

梁炆承 ;

穆罕默德·拉基布·乌丁 ;

李明宰 ;

李商文 ;

李成训 ;

赵成豪 .

中国专利 :CN104600070B ,2015-05-06

[5]

一种CMOS-MEMS湿度传感器 [P].

肖韩 ;

叶乐 ;

於广军 .

中国专利 :CN110346423B ,2019-10-18

[6]

CMOS器件的IDDQ测试 [P].

薛真成 .

中国专利 :CN103261902A ,2013-08-21

[7]

CMOS MOEMS传感器器件 [P].

卢卡斯·威廉·斯尼曼 .

中国专利 :CN102483427A ,2012-05-30

[8]

互补金属氧化物-半导体和MEMS传感器的异质集成 [P].

洪婉嘉 ;

彼得·科普尼奇 ;

伊凯·安德·奥贾克 .

中国专利 :CN113767063A ,2021-12-07

[9]

互补金属氧化物-半导体和MEMS传感器的异质集成 [P].

洪婉嘉 ;

彼得·科普尼奇 ;

伊凯·安德·奥贾克 .

:CN113767063B ,2025-01-03

[10]

用于热成像的基于超材料的对焦透镜 [P].

洪婉嘉 ;

伊凯·安德·奥贾克 ;

彼得·科普尼奇 .

中国专利 :CN114072646A ,2022-02-18

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