边发射半导体激光器芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980146859.0

申请日：

2009-10-21

公开(公告)号：

CN102224647A

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

克里斯蒂安·劳尔哈拉尔德·科尼格沃尔夫冈·赖尔尤伟·斯特劳斯

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01S5042 H01S510

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;郭放

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	授权	授权
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145712620 IPC(主分类):H01S 5/22 专利申请号:2009801468590 申请日:20091021
2011-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN102598440A ,2012-07-18

[2]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN104319625A ,2015-01-28

[3]

边发射半导体激光器 [P].

杨明来 .

中国专利 :CN213401853U ,2021-06-08

[4]

边发射半导体激光器 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

京特·格伦宁格 ;

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·柯尼希 .

中国专利 :CN102498625B ,2012-06-13

[5]

半导体激光器芯片 [P].

川上俊之 .

日本专利 :CN120642159A ,2025-09-12

[6]

带有至少一个电流势垒的边发射半导体激光器芯片 [P].

H·科尼格 ;

C·劳尔 ;

M·米勒 ;

M·鲁弗 ;

B·迈耶 .

中国专利 :CN101960682A ,2011-01-26

[7]

边发射的半导体激光器 [P].

马克·施尔格雷安斯 ;

斯蒂芬·鲁特格恩 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102414944B ,2012-04-11

[8]

一种边发射高速半导体激光器芯片 [P].

周志强 ;

陈宇晨 ;

王任凡 .

中国专利 :CN206542066U ,2017-10-03

[9]

边发射半导体激光器芯片测试方法以及系统 [P].

龙浩 ;

李万军 ;

向欣 .

中国专利 :CN113589146A ,2021-11-02

[10]

半导体激光器芯片、半导体激光器及制造方法 [P].

魏思航 ;

周江昊 ;

刘巍 .

中国专利 :CN121238324A ,2025-12-30

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