边发射半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410563205.0

申请日：

2010-08-25

公开(公告)号：

CN104319625A

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

克里斯蒂安·劳尔阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01S510

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-28	公开	公开
2018-03-30	授权	授权
2015-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599906025 IPC(主分类):H01S 5/10 专利申请号:2014105632050 申请日:20100825

共 50 条

[1]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN102598440A ,2012-07-18

[2]

边发射半导体激光器 [P].

杨明来 .

中国专利 :CN213401853U ,2021-06-08

[3]

边发射半导体激光器 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

京特·格伦宁格 ;

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·柯尼希 .

中国专利 :CN102498625B ,2012-06-13

[4]

边发射的半导体激光器 [P].

马克·施尔格雷安斯 ;

斯蒂芬·鲁特格恩 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102414944B ,2012-04-11

[5]

边发射半导体激光器芯片 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·科尼格 ;

沃尔夫冈·赖尔 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102224647A ,2011-10-19

[6]

边发射半导体激光器及其制作方法 [P].

黄梦洋 ;

朱建军 ;

杨文献 ;

陆书龙 ;

张鹏 ;

顾颖 ;

华浩文 ;

龚毅 .

中国专利 :CN119651343A ,2025-03-18

[7]

单模光子晶体边发射半导体激光器 [P].

郑婉华 ;

刘磊 ;

刘云 ;

渠红伟 ;

张冶金 ;

郭文华 ;

石岩 .

中国专利 :CN103825194B ,2014-05-28

[8]

一种边发射半导体激光器 [P].

李明欣 ;

宋云菲 ;

魏明 .

中国专利 :CN217882299U ,2022-11-22

[9]

一种边发射半导体激光器 [P].

宋云菲 ;

李明欣 ;

魏明 .

中国专利 :CN217882297U ,2022-11-22

[10]

边发射半导体激光器及其制备方法 [P].

杨明来 .

中国专利 :CN112350149A ,2021-02-09

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