单模光子晶体边发射半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410083323.1

申请日：

2014-03-07

公开(公告)号：

CN103825194B

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

郑婉华刘磊刘云渠红伟张冶金郭文华石岩

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5065

IPC分类号：

H01S520

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	授权	授权
2014-05-28	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583218477 IPC(主分类):H01S 5/065 专利申请号:2014100833231 申请日:20140307

共 50 条

[1]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN102598440A ,2012-07-18

[2]

边发射半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .

中国专利 :CN104319625A ,2015-01-28

[3]

边发射半导体激光器 [P].

杨明来 .

中国专利 :CN213401853U ,2021-06-08

[4]

边发射半导体激光器 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

京特·格伦宁格 ;

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·柯尼希 .

中国专利 :CN102498625B ,2012-06-13

[5]

侧向复合光子晶体半导体激光器 [P].

郑婉华 ;

周航 ;

傅廷 ;

周旭彦 ;

齐爱谊 ;

王学友 ;

高梓杰 .

中国专利 :CN119726382A ,2025-03-28

[6]

侧向复合光子晶体半导体激光器 [P].

郑婉华 ;

周航 ;

傅廷 ;

周旭彦 ;

齐爱谊 ;

王学友 ;

高梓杰 .

中国专利 :CN119726382B ,2025-10-28

[7]

边发射半导体激光器芯片 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·科尼格 ;

沃尔夫冈·赖尔 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102224647A ,2011-10-19

[8]

边发射的半导体激光器 [P].

马克·施尔格雷安斯 ;

斯蒂芬·鲁特格恩 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102414944B ,2012-04-11

[9]

单模垂直腔面发射半导体激光器 [P].

黄永箴 .

中国专利 :CN1098552C ,2000-01-26

[10]

一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器 [P].

郑婉华 ;

刘磊 ;

刘云 ;

渠红伟 ;

张冶金 ;

郭文华 ;

石岩 .

中国专利 :CN103904556A ,2014-07-02

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