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边发射半导体激光器及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411830981.2
申请日：
2024-12-12
公开(公告)号：
CN119651343A
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
黄梦洋 朱建军 杨文献 陆书龙 张鹏 顾颖 华浩文 龚毅
申请人：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址：
215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号
IPC主分类号：
H01S5/10
IPC分类号：
H01S5/30 H01S5/22 H01S5/028 H01S5/042 H01S5/12
代理机构：
苏州三英知识产权代理有限公司 32412
代理人：
陆颖
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/10申请日:20241212
共 50 条
[1]
边发射半导体激光器 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .
中国专利 :CN102598440A ,2012-07-18
[2]
边发射半导体激光器 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 .
中国专利 :CN104319625A ,2015-01-28
[3]
边发射半导体激光器 [P]. 
杨明来 .
中国专利 :CN213401853U ,2021-06-08
[4]
边发射半导体激光器 [P]. 
阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;
京特·格伦宁格 ;
克里斯蒂安·劳尔 ;
哈拉尔德·柯尼希 .
中国专利 :CN102498625B ,2012-06-13
[5]
边发射半导体激光器及其制备方法 [P]. 
杨明来 .
中国专利 :CN112350149A ,2021-02-09
[6]
边发射半导体激光器及其制备方法 [P]. 
周寅利 ;
张天琪 ;
张建伟 ;
陈超 ;
张卓 ;
刘天娇 ;
宁永强 .
中国专利 :CN120262169A ,2025-07-04
[7]
边发射半导体激光器芯片 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
哈拉尔德·科尼格 ;
沃尔夫冈·赖尔 ;
尤伟·斯特劳斯 .
中国专利 :CN102224647A ,2011-10-19
[8]
半导体激光器及其制作方法 [P]. 
程洋 ;
刘建平 ;
田爱琴 ;
冯美鑫 ;
张峰 ;
张书明 ;
李德尧 ;
张立群 ;
杨辉 .
中国专利 :CN106785912B ,2017-05-31
[9]
半导体激光器及其制作方法 [P]. 
永井丰 ;
岛显洋 .
中国专利 :CN1093836A ,1994-10-19
[10]
半导体激光器及其制作方法 [P]. 
李鸿建 ;
龙浩 ;
郭娟 .
中国专利 :CN114421280B ,2022-04-29
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