半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911117619.X

申请日：

2019-11-15

公开(公告)号：

CN112820821A

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

吴家荣黄瑞民蔡雅卉张翊凡王裕平

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01L4308

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	公开	公开
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20191115

共 50 条

[1]

半导体元件及其制作方法 [P].

李珮瑈 ;

何坤展 ;

陈炫旭 ;

陈俊隆 .

中国专利 :CN112201746A ,2021-01-08

[2]

半导体元件及其制作方法 [P].

刘家玮 ;

方嘉锋 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN113903763A ,2022-01-07

[3]

半导体元件及其制作方法 [P].

李珮瑈 ;

何坤展 ;

陈炫旭 ;

陈俊隆 .

中国专利 :CN112201746B ,2024-11-19

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

刘家玮 ;

方嘉锋 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN113903763B ,2025-08-19

[5]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

翁宸毅 ;

曾译苇 ;

谢晋阳 ;

张境尹 ;

李怡慧 ;

刘盈成 ;

施易安 ;

曾奕铭 ;

王裕平 .

中国专利 :CN117425389A ,2024-01-19

[6]

半导体元件及其制作方法 [P].

郭致玮 .

中国专利 :CN114512597A ,2022-05-17

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

邱劲砚 ;

蔡纬撰 ;

黄信富 ;

易延才 ;

柯贤文 .

中国专利 :CN113571465A ,2021-10-29

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

许博凯 ;

翁宸毅 ;

张境尹 ;

王裕平 ;

陈宏岳 .

中国专利 :CN112466901B ,2024-12-20

[9]

半导体元件及其制作方法 [P].

李皞明 ;

林胜豪 ;

江怀慈 .

中国专利 :CN106486372B ,2017-03-08

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

陈纬 ;

许博凯 ;

王裕平 ;

陈宏岳 .

中国专利 :CN113594086A ,2021-11-02

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