半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910609150.5

申请日：

2019-07-08

公开(公告)号：

CN112201746A

公开(公告)日：

2021-01-08

发明(设计)人：

李珮瑈何坤展陈炫旭陈俊隆

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4312 G11C1116

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20190708
2021-01-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其制作方法 [P].

李珮瑈 ;

何坤展 ;

陈炫旭 ;

陈俊隆 .

中国专利 :CN112201746B ,2024-11-19

[2]

半导体元件及其制作方法 [P].

吴家荣 ;

黄瑞民 ;

蔡雅卉 ;

张翊凡 ;

王裕平 .

中国专利 :CN112820821A ,2021-05-18

[3]

半导体元件及其制作方法 [P].

郭致玮 .

中国专利 :CN114512597A ,2022-05-17

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

许博凯 ;

翁宸毅 ;

张境尹 ;

王裕平 ;

陈宏岳 .

中国专利 :CN112466901B ,2024-12-20

[5]

半导体元件及其制作方法 [P].

李皞明 ;

林胜豪 ;

江怀慈 .

中国专利 :CN106486372B ,2017-03-08

[6]

半导体元件及其制作方法 [P].

林猷颖 ;

叶怡良 ;

蔡松蒝 ;

游峻伟 ;

王俞仁 ;

吴振 ;

林泰言 .

中国专利 :CN110246803A ,2019-09-17

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

王智亿 ;

胡雅婷 ;

陈纬哲 ;

陈长义 ;

曾坤赐 ;

王尧展 .

中国专利 :CN119132957A ,2024-12-13

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

陈长义 ;

李国兴 ;

林俊贤 ;

曾坤赐 ;

薛胜元 ;

王尧展 .

中国专利 :CN119521754A ,2025-02-25

[9]

半导体元件及其制作方法 [P].

刘健恒 ;

黄家纬 ;

于心仁 ;

郑永丰 ;

陈明瑞 .

中国专利 :CN114512441A ,2022-05-17

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

苏郁珊 ;

吴家伟 ;

钟定邦 .

中国专利 :CN110676221B ,2020-01-10

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