用于图像传感器的3D结构分离式单位像素及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680009846.5

申请日：

2006-03-29

公开(公告)号：

CN101151730A

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

李道永

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦;方挺

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-06	授权	授权
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-26	公开	公开
2017-03-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101748800914 IPC(主分类):H01L 27/146 专利号:ZL2006800098465 登记生效日:20170302 变更事项:专利权人变更前权利人:(株)赛丽康变更后权利人:爱思开海力士有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:韩国京畿道

共 50 条

[1]

三维图像传感器的分离式单位像素及其制造方法 [P].

李道永 .

中国专利 :CN101213669B ,2008-07-02

[2]

具有三维结构的图像传感器的分离式单位像素 [P].

严在元 .

中国专利 :CN104704811A ,2015-06-10

[3]

图像传感器像素及其制造方法 [P].

朴哲秀 ;

李道永 .

中国专利 :CN101238583A ,2008-08-06

[4]

图像传感器像素及其制造方法 [P].

朴哲秀 .

中国专利 :CN101203959A ,2008-06-18

[5]

CMOS图像传感器的像素结构及其制造方法 [P].

余泳 .

中国专利 :CN101789437A ,2010-07-28

[6]

像素结构及其制造方法、图像传感器 [P].

谢勇 ;

郭先清 ;

刘坤 .

中国专利 :CN110875338B ,2020-03-10

[7]

图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素及其制造方法 [P].

李道永 .

中国专利 :CN101213670A ,2008-07-02

[8]

图像传感器的像素结构及其制备方法、图像传感器 [P].

杨瑞坤 .

中国专利 :CN114914255A ,2022-08-16

[9]

图像传感器的像素结构及其制备方法、图像传感器 [P].

杨瑞坤 .

中国专利 :CN114914255B ,2025-07-18

[10]

图像传感器以及用于驱动图像传感器的单位像素的方法 [P].

金真善 ;

李雄熙 ;

金兑勋 .

中国专利 :CN107087124A ,2017-08-22

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