一种高分散性二氧化硅微粉的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810543658.5

申请日：

2018-05-31

公开(公告)号：

CN108529636A

公开(公告)日：

2018-09-14

发明(设计)人：

胡次兵张晶

申请人：

申请人地址：

528500 广东省佛山市高明区荷城街道江湾路78号301第6卡

IPC主分类号：

C01B33193

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/193 申请日:20180531
2018-09-14	公开	公开
2021-03-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 33/193 申请公布日:20180914

共 50 条

[1]

一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王志胜 .

中国专利 :CN110498892A ,2019-11-26

[2]

一种高分散性二氧化硅的制备方法 [P].

王永庆 ;

阙伟东 .

中国专利 :CN103468030A ,2013-12-25

[3]

一种高分散性纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

陈淑英 ;

杨浩泽 ;

梁伟虹 ;

邱煌庆 .

中国专利 :CN110668450B ,2020-01-10

[4]

一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法 [P].

徐进 ;

徐勇 ;

王传荣 .

中国专利 :CN102616794A ,2012-08-01

[5]

一种高分散性纳米二氧化硅粒子的制备方法 [P].

刘志雷 ;

周建萍 ;

刘光明 .

中国专利 :CN104530769B ,2015-04-22

[6]

一种高分散二氧化硅及其制备方法 [P].

张梦梅 ;

林英光 ;

李丽峰 ;

胡非 ;

任振雪 .

中国专利 :CN109110769A ,2019-01-01

[7]

高分散纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王玉军 ;

骆广生 ;

张田 .

中国专利 :CN104058415A ,2014-09-24

[8]

一种高分散二氧化硅的制备方法 [P].

刘彩艳 ;

李朋 ;

李祥凯 ;

陈光伟 .

中国专利 :CN118619293B ,2024-11-05

[9]

一种高分散二氧化硅的制备方法 [P].

曾土儿 ;

张起森 .

中国专利 :CN111017938A ,2020-04-17

[10]

一种高分散二氧化硅的制备方法 [P].

张起森 ;

游昌贵 .

中国专利 :CN111196606A ,2020-05-26

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