一种高分散性二氧化硅的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310374881.9

申请日：

2013-08-23

公开(公告)号：

CN103468030A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

王永庆阙伟东

申请人：

申请人地址：

214196 江苏省无锡市锡山区东港镇东青河村

IPC主分类号：

C09C128

IPC分类号：

C09C310

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-25	公开	公开
2014-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101564935000 IPC(主分类):C09C 1/28 专利申请号:2013103748819 申请日:20130823
2016-05-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二氧化硅的制备方法 [P].

王永庆 ;

阙伟东 .

中国专利 :CN103466635B ,2013-12-25

[2]

一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法 [P].

徐进 ;

徐勇 ;

王传荣 .

中国专利 :CN102616794A ,2012-08-01

[3]

一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王志胜 .

中国专利 :CN110498892A ,2019-11-26

[4]

一种高分散性二氧化硅微粉的制备方法 [P].

胡次兵 ;

张晶 .

中国专利 :CN108529636A ,2018-09-14

[5]

一种高分散性纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

陈淑英 ;

杨浩泽 ;

梁伟虹 ;

邱煌庆 .

中国专利 :CN110668450B ,2020-01-10

[6]

高分散纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王玉军 ;

骆广生 ;

张田 .

中国专利 :CN104058415A ,2014-09-24

[7]

一种高分散性纳米二氧化硅粒子的制备方法 [P].

刘志雷 ;

周建萍 ;

刘光明 .

中国专利 :CN104530769B ,2015-04-22

[8]

一种高分散二氧化硅的制备方法 [P].

刘彩艳 ;

李朋 ;

李祥凯 ;

陈光伟 .

中国专利 :CN118619293B ,2024-11-05

[9]

一种高分散二氧化硅的制备方法 [P].

庹文喜 ;

林英光 ;

张梦梅 ;

胡荷燕 ;

任振雪 .

中国专利 :CN107720763A ,2018-02-23

[10]

一种高分散二氧化硅的制备方法 [P].

刘彩艳 ;

李朋 ;

李祥凯 ;

陈光伟 .

中国专利 :CN118619293A ,2024-09-10

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