半导体光器件的制造方法和半导体光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780039013.1

申请日：

2017-05-30

公开(公告)号：

CN109314158B

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

山本淳平生田哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3330

IPC分类号：

H01L3310

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/30 申请日:20170530
2021-06-01	授权	授权
2019-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体光器件的制造方法和半导体光器件 [P].

门胁嘉孝 ;

田中治 .

中国专利 :CN113994487A ,2022-01-28

[2]

半导体光器件的制造方法和半导体光器件 [P].

门胁嘉孝 ;

田中治 .

日本专利 :CN113994487B ,2025-05-13

[3]

半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN111919305A ,2020-11-10

[4]

半导体光器件及半导体光器件的制造方法 [P].

松原礼高 ;

长谷川淳一 ;

片山悦治 ;

黑部立郎 .

日本专利 :CN115088148B ,2025-10-03

[5]

半导体光器件以及半导体光器件的制造方法 [P].

白石正彦 ;

吉田匡广 ;

清田和明 .

日本专利 :CN120548498A ,2025-08-26

[6]

半导体光器件及半导体光器件的制造方法 [P].

松原礼高 ;

长谷川淳一 ;

片山悦治 ;

黑部立郎 .

中国专利 :CN115088148A ,2022-09-20

[7]

光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山中贞则 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN102449785A ,2012-05-09

[8]

光半导体器件及光半导体器件的制造方法 [P].

下川一生 ;

浮田康成 .

中国专利 :CN101165929A ,2008-04-23

[9]

半导体光器件 [P].

渊田步 ;

境野刚 ;

上辻哲也 ;

中村直干 .

中国专利 :CN111052520B ,2020-04-21

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

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