光半导体器件及光半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710166818.0

申请日：

2007-10-18

公开(公告)号：

CN101165929A

公开(公告)日：

2008-04-23

发明(设计)人：

下川一生浮田康成

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L23488 H01L2160

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20071018 授权公告日:20090916 终止日期:20161018
2009-09-16	授权	授权
2008-04-23	公开	公开
2008-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体光器件及半导体光器件的制造方法 [P].

松原礼高 ;

长谷川淳一 ;

片山悦治 ;

黑部立郎 .

日本专利 :CN115088148B ,2025-10-03

[2]

半导体光器件及半导体光器件的制造方法 [P].

松原礼高 ;

长谷川淳一 ;

片山悦治 ;

黑部立郎 .

中国专利 :CN115088148A ,2022-09-20

[3]

半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法 [P].

赵晋荣 ;

李佳阳 ;

杨光 ;

董博宇 ;

袁福顺 ;

赵万辉 .

中国专利 :CN116779450B ,2024-03-26

[4]

制造光半导体器件的方法 [P].

末广一郎 ;

堀田佑治 ;

贞瀬直树 ;

釜田卓 .

中国专利 :CN1624945A ,2005-06-08

[5]

光半导体器件和光半导体器件的制造方法 [P].

富冈泰造 .

中国专利 :CN101150164A ,2008-03-26

[6]

半导体光器件以及半导体光器件的制造方法 [P].

白石正彦 ;

吉田匡广 ;

清田和明 .

日本专利 :CN120548498A ,2025-08-26

[7]

半导体光器件的制造方法和半导体光器件 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN109314158B ,2019-02-05

[8]

半导体光器件的制造方法和半导体光器件 [P].

门胁嘉孝 ;

田中治 .

中国专利 :CN113994487A ,2022-01-28

[9]

半导体光器件的制造方法和半导体光器件 [P].

门胁嘉孝 ;

田中治 .

日本专利 :CN113994487B ,2025-05-13

[10]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

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