半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810174750.5

申请日：

2008-10-27

公开(公告)号：

CN101471537B

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

早水勋立柳昌哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

马淑香

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-01	公开	公开
2012-04-11	授权	授权
2011-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101030087934 IPC(主分类):H01S 5/022 专利申请号:2008101747505 申请日:20081027
2013-12-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101554361448 IPC(主分类):H01S 5/022 专利号:ZL2008101747505 申请日:20081027 授权公告日:20120411 终止日期:20121027

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

阿江敬 ;

北村昌太郎 ;

奥田哲朗 ;

加藤豪 ;

渡边功 .

中国专利 :CN104466677A ,2015-03-25

[2]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

宫坂文人 .

中国专利 :CN105186284A ,2015-12-23

[3]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤野伸一 ;

吉成英人 ;

山下志郎 .

中国专利 :CN103688352B ,2014-03-26

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

安孙子雄哉 ;

市村昭雄 ;

五十岚俊昭 ;

白井康裕 .

中国专利 :CN105374877A ,2016-03-02

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

浦乡和幸 ;

清水敦和 .

中国专利 :CN105321908B ,2016-02-10

[6]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[7]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN103930991A ,2014-07-16

[8]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[9]

半导体器件的制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

中村理 ;

伊藤恭介 .

中国专利 :CN101013674A ,2007-08-08

[10]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

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