制造半导体器件的方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410483638.5

申请日：

2014-09-19

公开(公告)号：

CN104466677A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

阿江敬北村昌太郎奥田哲朗加藤豪渡边功

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01S5227

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723891044 IPC(主分类):H01S 5/227 专利申请号:2014104836385 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2019-02-05	授权	授权
2015-03-25	公开	公开
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678658381 IPC(主分类):H01S 5/227 专利申请号:2014104836385 申请日:20140919

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[2]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

宫坂文人 .

中国专利 :CN105186284A ,2015-12-23

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

欧志文 ;

唐斌 .

中国专利 :CN115064432A ,2022-09-16

[4]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[5]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

尤瑞·V·诺乌里夫 ;

约西尼·J·G·P·卢 .

中国专利 :CN101095237A ,2007-12-26

[6]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[7]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖铭智 ;

孙长征 .

中国专利 :CN113823992B ,2021-12-21

[8]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

大谷欣也 ;

西村康弘 .

中国专利 :CN105895529A ,2016-08-24

[9]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN103930991A ,2014-07-16

[10]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

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