半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510288891.X

申请日：

2015-05-29

公开(公告)号：

CN105186284A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

宫坂文人

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S516

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724409454 IPC(主分类):H01S 5/16 专利申请号:201510288891X 申请日:20150529
2019-08-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S 5/16 申请公布日:20151223
2015-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[2]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

阿江敬 ;

北村昌太郎 ;

奥田哲朗 ;

加藤豪 ;

渡边功 .

中国专利 :CN104466677A ,2015-03-25

[3]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[4]

半导体器件以及半导体器件制造方法 [P].

千野根崇子 ;

梁吉镐 ;

柴田康之 ;

东野二郎 .

中国专利 :CN101764185B ,2010-06-30

[5]

半导体器件、半导体激光器以及制造半导体器件的方法 [P].

村山雅洋 .

中国专利 :CN109923743B ,2019-06-21

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

高地泰三 ;

胁山悟 .

中国专利 :CN103681711A ,2014-03-26

[7]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[8]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金炳烈 ;

大谷洋一 ;

陈晓萌 .

中国专利 :CN101140933B ,2008-03-12

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

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